研究者

2期生紹介

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酸化物界面への電気的・磁気的機能性の付加と制御
塚崎 敦 写真
塚崎 敦
生年:1976年
出身都道府県:兵庫県

学歴

2000年3月 東京工業大学 無機材料工学科 卒業
2002年3月 東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻 修士課程修了
2005年3月 東北大学大学院 理学研究科 化学専攻 博士課程修了 博士(理学) 取得

職歴

2002年4月 日本学術振興会 特別研究員 (DC1)
2005年4月 東北大学 金属材料研究所 博士研究員
2006年4月 日本学術振興会 特別研究員 (PD)
2007年4月
 ~2010年5月
東北大学 金属材料研究所 超構造薄膜化学研究部門 助教
2008年10月
 ~現在
科学技術振興機構さきがけ研究者(兼任)
2010年6月
 ~現在
東京大学大学院工学系研究科付属量子相エレクトロニクス研究センター 特任講師

研究歴

  酸化物半導体;酸化亜鉛(ZnO)の薄膜成長とデバイス応用に関する研究に従事

研究者のホームページURL
http://www.qpec.t.u-tokyo.ac.jp/index.htm

  • 1期生: 2006年~2009年
  • 2期生: 2007年~2010年
  • 3期生: 2008年~2011年