研究者

2期生紹介

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半導体へテロ界面のスピン軌道相互作用制御による電気的スピン生成・検出機能の創製
好田 誠 写真
好田 誠
生年:1978年
出身都道府県:東京都

学歴

1999年~2000年 University of California, Santa Barbara留学
2001年 東北大学工学部 電子工学科卒業
2002年 東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 博士課程前期修了
2005年 東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 博士課程後期修了 博士(工学)

職歴

2003年~2005年 日本学術振興会特別研究員
2005年~2007年 東北大学大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻 助手
2007年~2010年 東北大学大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻 助教
2008年~現在 科学技術振興機構さきがけ研究者(兼任)
2010年~現在 東北大学大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻 准教授

研究歴

2001年~2002年 p型強磁性半導体(Ga,Mn)As / n-GaAsエサキダイオード構造による電気的電子スピン注入に関する研究
2002~2005年 (Ga,Mn)As / n-GaAsエサキダイオード構造を用いたスピン注入素子の3端子能動制御に関する研究
2005年~現在 スピン軌道相互作用を用いた電気的スピン制御に関する研究と微小磁性体の磁化過程に関する研究

研究者のホームページURL
http://www.material.tohoku.ac.jp/~kotaib/kohda.html

  • 1期生: 2006年~2009年
  • 2期生: 2007年~2010年
  • 3期生: 2008年~2011年