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- 好田 誠
- 生年:1978年
- 出身都道府県:東京都
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学歴
1999年~2000年 |
University of California, Santa Barbara留学 |
2001年 |
東北大学工学部 電子工学科卒業 |
2002年 |
東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 博士課程前期修了 |
2005年 |
東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 博士課程後期修了 博士(工学) |
職歴
2003年~2005年 |
日本学術振興会特別研究員 |
2005年~2007年 |
東北大学大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻 助手 |
2007年~2010年 |
東北大学大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻 助教 |
2008年~現在 |
科学技術振興機構さきがけ研究者(兼任) |
2010年~現在 |
東北大学大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻 准教授 |
研究歴
2001年~2002年 |
p型強磁性半導体(Ga,Mn)As / n-GaAsエサキダイオード構造による電気的電子スピン注入に関する研究 |
2002~2005年 |
(Ga,Mn)As / n-GaAsエサキダイオード構造を用いたスピン注入素子の3端子能動制御に関する研究 |
2005年~現在 |
スピン軌道相互作用を用いた電気的スピン制御に関する研究と微小磁性体の磁化過程に関する研究 |
研究者のホームページURL
http://www.material.tohoku.ac.jp/~kotaib/kohda.html
- 1期生: 2006年~2009年
- 2期生: 2007年~2010年
- 3期生: 2008年~2011年