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JSTが国立研究開発法人産業技術総合研究所（以下、「産業技術総合研究所」という。）と共有し、さきがけ「ナノと物性」研究領域の研究成果である、「磁気記録の進化に資する配向性多結晶MgO トンネル磁気抵抗素子」（特許第5120680号）の発明（発明者：産業技術総合研究所新原理コンピューティング研究センター　湯浅新治研究センター長）が、このたび「令和３年度全国発明表彰」において「未来創造発明賞」を受賞しました。

本発明は、巨大な磁気抵抗効果を持つトンネル磁気抵抗素子（MTJ素子）を量産可能な形で実現し、磁気記録の進化に資するものです。本発明のMTJ素子は、現在すべてのハードディスク(HDD)の磁気ヘッドに採用されており、大容量HDDの実現により情報化社会の高度化に貢献しています。また本発明技術は、電源を切っても記憶情報が消えない不揮発性メモリSTT-MRAMとしても実用化されており、スマートフォンやパソコンの省電力化と高性能化につながると期待されています。

【未来創造発明賞受賞者：発明者】

湯浅　新治

産業技術総合研究所　新原理コンピューティング研究センター

研究センター長

【未来創造発明貢献賞：権利会社・組織の代表者】

石村　和彦

産業技術総合研究所　理事長　兼　最高執行責任者

濵口　道成

JST　理事長