東京大学,科学技術振興機構(JST)

令和6年9月24日

東京大学
科学技術振興機構(JST)

高精度な薄膜型イオンセンサーを有機半導体により実現

~疑似参照電極として機能する有機半導体~

ポイント

東京大学 大学院新領域創成科学研究科、物質・材料研究機構(NIMS)からなる共同研究グループは、有機半導体単結晶を用いることで高精度な薄膜型イオンセンサーの開発に成功しました。イオンセンサーはヘルスケア、農水産業などさまざまな分野において用いられるデバイスです。その小型薄膜化、低コスト化は次世代のセンサーネットワークを実現する上で重要です。これまでも半導体を用いた薄膜型イオンセンサーの開発が行われてきましたが、高精度なデバイス動作には参照電極と組み合わせて用いることが必要でした。参照電極は試験管状の容器に溶液と電極を封入した構造が一般的であり、小型化の妨げとなっていました。

本研究グループは参照電極の代わりに有機半導体単結晶トランジスタが疑似参照電極として基準電位を定義できることを見いだしました。これにより、デバイス全体を小型薄膜化しながらも高精度なイオンセンシングを実証しました。本技術はさまざまなイオンセンサーの小型薄膜化、低コスト化に貢献すると期待されます。

本研究成果は、国際科学雑誌「Proceedings of the National Academy of Sciences」(PNAS)に2024年9月23日付(現地時間)でオンライン掲載されます。

本研究の日本における取り組みは、科学技術振興機構(JST) 戦略的創造研究推進事業 CREST「電子閉じ込め分子の二次元結晶と汎用量子デバイスの開発」(課題番号:JPMJCR21O3)ならびに日本学術振興会 科学研究費助成事業(課題番号:20H00392、22H04959)の一環として行われました。

<プレスリリース資料>

<論文タイトル>

“Ion sensors based on organic semiconductors acting as quasi-reference electrodes”
DOI:10.1073/pnas.2405933121

<お問い合わせ先>

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