成蹊大学,東京工業大学,科学技術振興機構(JST)

令和6年7月18日

成蹊大学
東京工業大学
科学技術振興機構(JST)

新材料設計指針により世界最高の臨界電流密度を有する鉄系超伝導薄膜を創製

~銅酸化物高温超伝導薄膜に匹敵する磁場中臨界電流密度を達成~

ポイント

成蹊大学 大学院理工学研究科の三浦 正志 教授は、東京工業大学 細野 秀雄 栄誉教授、平松 秀典 教授らと共に、新材料設計指針である「キャリア密度制御と磁束ピン止め点制御の融合」により鉄系超伝導材料SmFeAsO1-薄膜を創製し、液体ヘリウム沸点温度(マイナス269度)で25テスラの高磁場下まで鉄系超伝導材料の中で最も高い臨界電流密度を達成。また、本材料設計指針により種類の異なる超伝導材料においても世界最高レベルの臨界電流密度を達成し、幅広い超伝導材料への本材料設計指針の有効性を確認しました。

本研究成果は、英国科学誌Nature姉妹論文誌「Nature Materials」(オンライン:2024年7月18日(日本時間))に掲載されます。

本研究は、主に科学技術振興機構(JST) 創発的研究支援事業 研究課題 JPMJFR202G「新材料設計指針により対破壊電流密度に挑む(研究代表者:三浦 正志 成蹊大学 大学院理工学研究科 教授/リーディングリサーチャー)」の支援を受けて行われました。また、東京工業大学における研究は、文部科学省 元素戦略プロジェクト/研究拠点形成型 東工大 元素戦略拠点 研究課題 JPMXP0112101001の支援を受けて行われました。

<プレスリリース資料>

<論文タイトル>

“Quadrupling the depairing current density in the iron-based superconductor SmFeAsO1-xHx
DOI:10.1038/s41563-024-01952-7

<お問い合わせ先>

(英文)“Quadrupling the depairing current density in the iron-based superconductor SmFeAsO1–xHx

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