ポイント
- Co2FeSiホイスラー合金磁石と圧電体の接合構造(界面マルチフェロイク構造)において発現する巨大磁気電気結合効果(高効率な磁化方向変化)の起源を解明
- 電圧加中のX線磁気円二色性(XMCD)分光測定技術を用いることで、磁石中の特定の元素の軌道磁気モーメントの変化を検出
- 高性能な界面マルチフェロイク材料の開発指針を提示
東京大学 大学院理学系研究科の岡林 潤 准教授、大阪大学 大学院基礎工学研究科の宇佐見 喬政 助教、浜屋 宏平 教授、同大学 大学院工学研究科の白土 優 准教授、東京工業大学 物質理工学院の合田 義弘 准教授らの共同研究グループは、高いスピン偏極率を有するCo2FeSiホイスラー合金磁石と優れた圧電性能を有するPb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT)の積層構造からなる界面マルチフェロイク構造における、巨大磁気電気結合効果(高効率な磁化方向変化)の起源を明らかにしました。
強磁性体(磁石)と圧電体の接合構造からなる界面マルチフェロイク構造は、電圧印加により磁化方向を制御することができるため、半導体不揮発メモリーとして注目されている磁気抵抗メモリー(MRAM)などのスピントロニクスメモリーデバイスの新規情報書き込み技術として期待されています。ごく最近、浜屋教授らは、強磁性体として高いスピン偏極率を有するCo系ホイスラー合金磁石の1つであるCo2FeSiと、高い圧電性能を有するPMN-PTを組み合わせた界面マルチフェロイク構造を作製し、実用化の壁として存在していた10-5秒/メートル台の磁気電気結合係数を世界で初めて実証しました。しかし、これらの材料の組み合わせにおいて、なぜ高い性能(高効率な磁化方向変化)が実現したのか起源は明らかになっていませんでした。
今回、研究グループは、界面マルチフェロイク構造に電界を印加しながらX線磁気円二色性(XMCD)分光を測定する技術(オペランドXMCD分光)を用いることで、電圧印加による磁化方向に変化が生じる際に、Co2FeSi中のFeの軌道磁気モーメントが顕著に変化することを実験的にXMCDスペクトルから捉えることに成功しました。さらに、この実験結果と第一原理計算による理論的な考察の結果、圧電体(PMN-PT)から生じるひずみがCo2FeSi中のFeの軌道磁気モーメントを変化させることから、磁化方向が高効率に膜の面内にて変化することを明らかにしました。
近年IoT技術・AI技術がますます進展する中、半導体素子の消費電力が爆発的に増加することが予想されています。その中で本成果は、不揮発メモリー素子として期待されるMRAMを含む全てのスピントロニクス素子における低消費電力での磁化方向制御技術のための「界面マルチフェロイク材料」に関する基礎物理学の理解を進展させるとともに、軌道弾性からの同材料の設計指針を提示するものです。
本研究成果は、2024年1月10(英国時間)に「NPG Asia Materials」に掲載されます。
本研究は、以下の事業の支援を受けて行われました。
科学技術振興機構(JST) 戦略的創造研究推進事業 チーム型研究 CREST 研究領域「実験と理論・計算・データ科学を融合した材料開発の革新」(研究総括:細野 秀雄 東京工業大学 栄誉教授/元素戦略研究センター長)研究課題「界面マルチフェロイク材料の創製」(研究代表者:谷山 智康 名古屋大学 大学院理学研究科 教授、課題番号:JPMJCR18J1)、科研費 基盤研究(S) 研究課題「トンネル磁気抵抗効果の新展開:軌道対称性効果の解明と新規量子デバイスの創出」(課題番号:22H04966)、科研費 基盤研究(S) 研究課題「ゲルマニウムスピンMOSFETの実証」(課題番号:19H05616)、スピントロニクス学術研究基盤と連携ネットワーク(Spin-RNJ)。
<プレスリリース資料>
- 本文 PDF(534KB)
<論文タイトル>
- “Strain-induced specific orbital control in a Heusler-alloy-based interfacial multiferroics”
- DOI:10.1038/s41427-023-00524-6
<お問い合わせ先>
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<研究に関すること>
岡林 潤(オカバヤシ ジュン)
東京大学 大学院理学系研究科 スペクトル化学研究センター(化学専攻) 准教授
Tel:03-5841-4418 Fax:03-5841-4418
E-mail:junchem.s.u-tokyo.ac.jp
浜屋 宏平(ハマヤ コウヘイ)
大阪大学 大学院基礎工学研究科 附属スピントロニクス学術連携研究教育センター 教授
Tel:06-6850-6330 または 06-6850-6331 Fax:06-6850-6330
E-mail:hamaya.kohei.esosaka-u.ac.jp
合田 義弘(ゴウダ ヨシヒロ)
東京工業大学 物質理工学院 材料系 准教授
Tel:045-924-5636 Fax:045-924-5636
E-mail:gohda.y.abm.titech.ac.jp
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<JST事業に関すること>
安藤 裕輔(アンドウ ユウスケ)
科学技術振興機構 戦略研究推進部 グリーンイノベーショングループ
〒102-0076 東京都千代田区五番町7 K’s五番町
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大阪大学 工学研究科 総務課 評価・広報係
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科学技術振興機構 広報課
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