ポイント
- 窒素原子が埋め込まれたナノチューブを分子性物質として化学合成しました。
- これまで制御不可能であった「窒素ドープ」を、組成・位置・構造などを完全に制御した上で実現しています。
- 謎に包まれていた、ナノチューブの電子的性質・化学的性質に対する「窒素ドープ」の効果を明確にしました。窒素はナノチューブに電子を受け取りやすくさせる効果があり、ナノチューブをn型半導体になりやすくさせます。
東京大学 大学院理学系研究科の磯部 寛之 教授(JST ERATO磯部縮退π集積プロジェクト 研究総括)の研究グループは、周期的に窒素原子が埋め込まれたナノチューブ分子(窒素ドープ型ナノチューブ分子)の化学合成に世界で初めて成功しました。2019年、独自に開発したばかりのナノチューブ分子の化学合成法に、窒素原子を埋め込む工夫を新たに凝らした結果です。窒素ドープ型炭素材料には、半導体利用などの応用研究において注目されていますが、本研究成果は、今後、こうした材料科学研究をより一層、加速させるものと期待されます。
本研究成果は、国際学術雑誌「Nature Communications」に2020年4月14日に掲載されます。
本研究は、JST 戦略的創造研究推進事業 総括実施型研究(ERATO)「磯部縮退π集積プロジェクト」および科学研究費助成事業の一環として進められました。X線回折による分子構造決定には、一部、大型放射光施設SPring-8および高エネルギー加速器研究機構(KEK) 物質構造科学研究所 フォトンファクトリーの最先端設備が活用されています。
<プレスリリース資料>
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<論文タイトル>
- “A nitrogen-doped nanotube molecule with atom vacancy defects”
(窒素ドープされた原子欠損孔ナノチューブ) - DOI:10.1038/s41467-020-15662-6
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