理化学研究所,東京大学,科学技術振興機構（ＪＳＴ）

令和２年１月２１日

理化学研究所
東京大学
科学技術振興機構（ＪＳＴ）

スキルミオンとアンチスキルミオンの相互変換に成功

～トポロジカルスピン構造の量子情報ビットへの応用研究を加速～

理化学研究所（理研） 創発物性科学研究センター 電子状態マイクロスコピー研究チームのポン・リソン　特別研究員、于 秀珍　チームリーダー、スピン創発機能研究ユニット（研究当時）の関 真一郎　ユニットリーダー、強相関量子構造研究チームの有馬 孝尚　チームリーダー、強相関理論研究グループの永長 直人　グループディレクター、強相関物性研究グループの十倉 好紀　グループディレクターらの研究グループは、トポロジカル数注１）「＋１」を持つ「アンチスキルミオン注２）」と「－１」を持つ「スキルミオン注３）」との相互変換の直接観察に成功しました。

本研究成果により、トポロジカル数を持つナノスケール電子スピン構造の量子情報ビットへの応用研究が加速すると期待できます。

今回、共同研究グループは、室温において化学組成がＭｎ１．４Ｐｔ０．９Ｐｄ０．１Ｓｎ（Ｍｎ：マンガン、Ｐｔ：白金、Ｐｄ：パラジウム、Ｓｎ：スズ）で表されるホイスラー合金注４）の薄片に外部磁場を加えて、磁場の向きや強さを変えると、アンチスキルミオンとスキルミオンを相互に変換できることをローレンツ電子顕微鏡注５）を用いた観察によって明らかにしました。また、同じ薄片を－２３℃に冷却すると、室温で作られたアンチスキルミオンの正方格子構造がスキルミオンの三角格子構造に変化することが分かりました。

本研究は、英国の科学雑誌「Ｎａｔｕｒｅ Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」の掲載に先立ち、オンライン版（１月２０日付け：日本時間１月２１日）に掲載されます。

本研究の一部は、ＪＳＴ 戦略的創造研究推進事業 さきがけ「磁気構造と電子構造のトポロジーを利用した巨大創発電磁場の生成と制御（研究者：関 真一郎）」、ＪＳＴ 戦略的創造研究推進事業 ＣＲＥＳＴ「ナノスピン構造を用いた電子量子位相制御（研究代表者：永長 直人）」による支援を受けて行われました。

＜背景＞

外部刺激、例えば磁場を加えることにより、固体中の多数の電子スピンが「渦」のように整列し、磁気渦構造を形成することがあります。この「スキルミオン」と呼ばれる磁気渦は、トポロジカル数「－１」として特徴付けられ、一旦生成されると安定した“粒子”として振る舞うことが分かっています。スキルミオンの三角格子構造の存在は、２００９年にキラル結晶注６）のマンガンシリコン（ＭｎＳｉ）において初めて証明されました※１）。２０１０年には、ＭｎＳｉと同じ結晶構造を持つＦｅ０．５Ｃｏ０．５Ｓｉ（Ｆｅ：鉄、Ｃｏ：コバルト）におけるスキルミオン格子および各スキルミオン内部のスピン配列の可視化がローレンツ電子顕微鏡観察により実現しました※２）。

一方、アンチスキルミオンはトポロジカル数「＋１」で特徴付けられ、スキルミオンの反粒子としての性質を持ちます。２０１７年にホイスラー合金に外部磁場を加えるとアンチスキルミオンが生成されることが、実空間観察により確認されました※３）。スキルミオンとアンチスキルミオンは、トポロジーによって保護される磁性粒子とその反粒子（反渦）の性質を持つだけでなく、１～１００ナノメートル（ｎｍ、１ｎｍは１０億分の１メートル）の微小な粒子であるため、大容量情報担体としての利用が期待されています。また、近年、低電流でスキルミオンを駆動できることも示されています※４）。

これまで、スキルミオンとアンチスキルミオンはそれぞれ異なる物質中で発見されていましたが、１つの物質の中で相互に変換できるかどうか、さらに、それらの安定性がどのように異なるかは明らかになっていませんでした。

  • ※１）S.Mühlbauer,et al.,Skyrmion Lattice in a Chiral Magnet.Science 323, 915-919 (2009)
  • ※２）X. Z. Yu, Y. Onose, N. Kanazawa, J. H. Park, J. H. Han, Y. Matsui, N. Nagaosa, and Y. Tokura, Real-space observation of a two-dimensional skyrmion crystal. Nature 465, 901–904 (2010)
  • ※３）Nayak, A. K. et al. Magnetic antiskyrmions above room temperature in tetragonal Heusler materials. Nature 548, 561–566 (2017).
  • ※４）Xiuzhen Yu, Naoya Kanazawa, Weizhu Zhang, Takuro Nagai, Toru Hara, Koji Kimoto, Yoshio Matsui, Yoshinori Onose, and Yoshinori Tokura. “Skyrmion flow near room temperature in an ultra-low current density”, Nature Communications, 3, 988 (2012)
    理研プレスリリース：https://www.riken.jp/press/2012/20120808_2/index.html

＜研究手法と成果＞

共同研究グループは、キラルな結晶構造を持つバルク状のホイスラー合金Ｍｎ１．４Ｐｔ０．９Ｐｄ０．１Ｓｎ（Ｍｎ：マンガン、Ｐｔ：白金、Ｐｄ：パラジウム、Ｓｎ：スズ）をアルゴンイオンビームによって、電子線が通過できる程度の厚さである１００ｎｍ以下の薄片に加工し、外部磁場を加えながら、その様子をローレンツ電子顕微鏡で観察しました。

外部磁場がゼロのときには、直交しているらせん磁気構造に対応した縞状の模様が観測されました。次に、薄片に垂直な方向に０．３５テスラの磁場を加えると、正方格子構造のアンチスキルミオンが観察されました（図１ａ）。正方格子中の磁気構造（黄色点線で囲まれた部分）を解析すると、図１ｂのような磁化分布マップが得られ、それは理論で予測されたアンチスキルミオン（図１ｃ）と一致しました。

また、薄片を－２３℃まで冷却して、垂直な方向に０．４テスラの磁場を加えると、アンチスキルミオンは消失し、代わりに互いに直交する方向に伸びた楕円型スキルミオンが観察されました（図１ｄ）。それらを解析すると、時計回りと反時計回りの三角格子の構造をした楕円型スキルミオンでした（図１ｅ，ｆ）。

次に、室温において、薄片の面内方向に０．００３テスラの磁場を加えたところ、アンチスキルミオンが２本のブロッホライン注７）を持つ磁気バブル注８）（トポロジカル数０）へと変化しました（図２ａ，ｂ）。さらに、その面内磁場を取り除くと、磁気バブルがスキルミオンへ変化しました（図２ｃ）。

＜今後の期待＞

本研究では、外部磁場や温度の変化によりアンチスキルミオンとスキルミオンの相互変換、およびこれらの格子構造転移の制御やスキルミオンの回転方向の制御に成功しました。また、系統的に磁場と温度を制御した実空間観察によりスキルミオンとアンチスキルミオンの安定性の違いを明らかにしました。

これにより今後、ナノスケールのトポロジカル磁性粒子と反粒子の安定性とその相互変換に関する研究や、トポロジーの制御に関連した創発電磁現象注９）の研究がさらに活発に行われると期待できます。

＜参考図＞

＜用語解説＞

注１）トポロジカル数
「トポロジー」とは位相幾何学のことであり、磁気渦を特徴付ける「巻き数」に相当する数は、渦の幾何学的な性質で決まる。これをトポロジカル数と呼び、渦が（連続的な）変形を起こしても、このトポロジカル数は変化しない。
注２）アンチスキルミオン
トポロジカル数＋１を持つ電子スピンの集団構造のこと。アンチスキルミオンの内部の電子スピンは渦状に整列し、渦の中心スピンとアンチスキルミオンの外周スピンは反平行である。その間の電子スピンは、スクリュー状に整列した４つの磁壁（ブロッホ型磁壁）と、直径に沿って回転するサイクロイド状に整列した４つの磁壁（ブロッホライン）が交互に配置している。
注３）スキルミオン
渦状の模様を形成している電子スピンの集団構造（渦状スピン構造）のこと。スキルミオンの中心スピンと外周スピンは反平行であり、その間のスピンは少しずつ方向を変えながら、渦状に配列している。スキルミオンのスピンは球面を１周覆う（立体角４πを覆う）ため、トポロジカル数は－１になる。
注４）ホイスラー合金
銅とアルミとマンガンが原子数比２：１：１で形成する合金において、原子が規則的に配列すると磁石となる。この合金を発見者にちなんでホイスラー合金と呼ぶが、現在では、同種の結晶構造を持つ３種あるいはそれ以上の元素からなる合金もホイスラー合金と呼ばれることがある。
注５）ローレンツ電子顕微鏡
磁場による電子線の偏向を利用して、磁性体の磁化状態を実空間で観察する手法。空間分解能が高く、ナノメートルオーダーの磁化状態の観察に適している。
注６）キラル結晶
右手と左手の関係のように、鏡に映して得られる構造が、元の自分自身の構造と重ならない結晶構造を「キラル」な結晶構造と呼ぶ。
注７）ブロッホライン
ブロッホ型磁壁断面に沿ったサイクロイド状に整列した電子スピン構造のこと。
注８）磁気バブル
磁性薄膜の膜面に対し垂直な円柱状磁区のこと。磁気バブルの中心と外周の電子スピンは膜面に対し、それぞれ上向きと下向きで反平行である。
注９）創発電磁現象
物質中の各電子スピンの向きが、同一平面上にないように配列した（非共面的な）スピン構造は、隣接した３つの電子スピンが張る立体角の大きさに応じて、通過する伝導電子に実効的な仮想磁場を与える。すなわち、この伝導電子は配列した電子スピンの影響により偏向する。このように非共面的なスピン構造により誘起される電磁現象を創発電磁現象と呼ぶ。

＜論文タイトル＞

“Controlled transformation of skyrmions and antiskyrmions in a non-centrosymmetric magnet”
ＤＯＩ：10.1038/s41565-019-0616-6

＜お問い合わせ先＞

（英文）“Controlled transformation of skyrmions and antiskyrmions in a non-centrosymmetric magnet”

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