JSTトップ ＞ 中村博士の経歴

氏名 なかむら　しゅうじ
中村　修二		 中村　修二
生年月日1954年5月22日
現職 カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部　教授
学歴(学位)
1977年3月徳島大学工学部電子工学専攻　卒業
1979年3月徳島大学工学部大学院　修士課程修了
1994年9月徳島大学より工学博士を授与
研究歴
1979年4月日亜化学工業株式会社入社
1988年4月フロリダ大学　客員研究員
1996年4月日亜化学工業株式会社　主幹研究員
2000年2月カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部　教授
2000年～Director, Solid State Lighting and Display Center
2004年～Honorary Professor, Universtät Bremen (Germany)名誉教授、信州大学客員教授、鳥取大学客員教授、徳島大学客員教授
2005年～Honorary Professor, Wuhan University (China)名誉教授
2007年～Hong Kong University of Science & Technology,visiting名誉教授、愛媛大客員教授
2009年～Shanghai Research Center of Engineering and Technology for Solid-State Lighting(China)アドバイザ、Fudan University (China)アドバイザリ教授
主な受賞歴
1994年応用物理学会論文賞
1996年仁科記念賞「短波長半導体レーザの研究」、米国IEEE/LEOS エンジニアリングアチーブメント賞
1997年大河内記念賞「Ⅲ族窒化物半導体を用いた青～緑色発光ダイオードと半導体レーザの開発」 、MRS Medal Award
1998年IEEE Jack A. Morton Award「For contribution in the field of group-Ⅲ nitride materials and devices」 、Ｃ&Ｃ賞 、英国ランク賞
2000年本田賞「高光度青、緑色発光ダイオードと紫色半導体レーザの開発」 、Carl Zeis Research Award
2001年朝日賞「青色発光素子の研究と開発」 、OSA Nick Holonyak, Jr. Award 、LEOS Distinguished Lecturer Award
2002年ベンジャミン・フランクリン賞、武田賞、 IEEE Quantum Electronics Award、The Economist Innovation Award 2002 “No Boundaries”、World Technology Award
2004年SID カールフェルナンドブラウン賞
2006年ミレニアム技術賞、Global Innovation Leader Award, Optical Media Global Industry Awards
2007年Czochralski Award
2008年応用物理学会フェロー、The Prince of Asturias Award for Technical Scientific Research (The Prince of Asturias Foundation)
2009年Harvey Prize
JSTとの関係
2001年10月～2006年9月ERATO中村不均一結晶プロジェクト総括責任者

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