LCS-FY2018-PP-07
酸化ガリウムの新規ワイドギャップ半導体としての電子デバイス応用へ向けた技術開発課題
概要
現在、ワイドギャップ半導体として本格的な利用が進められている窒化ガリウムやシリコンカ ーバイドよりも、さらに大きなバンドギャップを有する酸化ガリウム（Ga2O3）は、超高耐圧のパワーデバイスを始めとする新しい分野への応用が期待できる半導体材料である。
Ga2O3は、溶液法による大型単結晶の成長や高品質なエピタキシャル薄膜の成長の技術が急速に進展しつつある材料であり、大規模な製造の可能性も有するという特徴がある。本提案書では、電子デバイス用 の結晶供給技術やデバイス動作実証の現状に基づいて、Ga2O3 の本格的な産業利用のために残されている技術課題を明確化する。