LCS-FY2016-PP-08
GaN系半導体デバイスの技術開発課題とその新しい応用の展望
概要
GaN系半導体はその薄膜およびバルク結晶の成長技術が急速に進展しつつあり、その大きなバンドギャップと光学物性や電気特性、また組成変調した多層構造のもたらす機能によって、様々な応用展開が期待されている。
そこで、GaN系半導体の材料としての特徴や魅力を踏まえつつ、レーザダイオード、高周波通信デバイス、パワーデバイス等の次世代デバイスへの応用のための技術開発の現状を調査し、今後に注力すべき技術開発課題を明確化した。