研究領域「超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製」事後評価（課題評価）結果

１．研究領域の概要

この研究領域は、従来のデバイス・システムに対して、ナノスケールの超微細構造形成技術や革新的ナノプロセス、および超集積化技術を活用することにより、これまでの情報処理や通信システムの性能を飛躍的に高めるデバイス・システムの創製に係わる研究を対象とする。 　具体的には、情報伝達の超高速化や広帯域化と超省電力化に向けた新規デバイスの構造・材料に係わる研究、極微デバイスが直面する限界に挑戦する革新的なナノ素材やナノプロセスの研究、極微デバイスにおける物理機構の解明と制御に係わる研究、超微細構造の活用により従来の光デバイスの性能を凌駕する新しいナノ構造フォトニクスデバイスの創製に係わる研究、および、これらの関連研究等が含まれる。

２．事後評価の概要

２−１．評価対象研究代表者及び研究課題

平成１４年度採択研究課題

秋山　英文	東京大学物性研究所　准教授　　(25 KB)
	「量子細線レーザーの作製とデバイス特性の解明」
安達　千波矢	九州大学未来化学創造センター　教授　　(25 KB)
	「有機半導体レーザーの構築とデバイス物理の解明」
荒井　滋久	東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター　教授　　(27 KB)
	「低次元量子構造を用いる機能光デバイスの創製」
大谷　俊介	電気通信大学レーザー新世代研究センター　教授　　(23 KB)
	「多価イオンプロセスによるナノデバイス創製」
河口　仁司	奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科　教授　　(27 KB)
	「シフトレジスタ機能付超高速光メモリの創製」
小柳　光正	東北大学大学院工学研究科　教授　　(25 KB)
	「共鳴磁気トンネル・ナノドット不揮発性メモリの創製」
新田　淳作	東北大学大学院工学研究科　教授　　(24 KB)
	「半導体スピンエンジニアリング」
藤巻　朗	名古屋大学大学院工学研究科　教授　　(24 KB)
	「単一磁束量子テラヘルツエレクトロニクスの創製」
古屋　一仁	東京工業大学大学院理工学研究科　教授　　(26 KB)
	「超ヘテロナノ構造によるバリスティック電子デバイスの創製」
吉川　明彦	千葉大学大学院工学研究科　教授　　(160 KB)
	「InN系窒化物ナノデバイス／ナノプロセスの分子線エピタキシ法による新展開」

２−２．実施時期

平成１９年１１月４、５日

２−３．評価者

研究総括

榊　裕之	豊田工業大学　副学長

領域アドバイザー

長谷川　英樹	北海道大学　名誉教授
井筒　雅之	（独）情報通信研究機構　高級研究員
岩井　洋	東京工業大学フロンティア研究センター　教授
小林　功郎	東京工業大学精密工学研究所　教授
三村　高志	（株）富士通研究所　フェロー
平山　祥郎	東北大学大学院理学研究科　教授