研究代表者・研究課題

本研究では､デバイスのボディー領域全体を電流駆動領域とする新概念の縦型構造トランジスタのデバイス技術に加えて、その回路設計・材料・プロセス技術までを一貫して開発します。これにより、平面型MOSFET と比較して、駆動電流特性、リーク電流特性、集積密度を大幅に向上させた半導体LSIの新しいユニバーサル技術プラットフォームを提供することを目指します。

http://www.ecei.tohoku.ac.jp/endohlab/

X線回折顕微法をEUV領域に展開し、より高精度な露光パタンの寸法計測ならびに欠陥観察が可能な計測技術の確立を図ります。スタンドアロン型の極短パルスレーザの高次高調波レーザからのコヒーレントEUV光源とEUVスキャトロメトリー顕微鏡との融合により、サブナノ精度のパタン寸法計測及び露光用マスク欠陥観察技術を構築します。

次世代微細化CMOSの駆動電流向上と低電圧動作を可能にする、電子、正孔ともに移動度の高い半導体材料であるGeをベースにしたデバイス構造が期待されています。しかしながら、Ge系材料に対するゲート絶縁膜及び電極界面は熱的、電気的安定性が悪く、その原因究明と対策が求められています。本研究課題ではGe High−k CMOS形成に向けて、ゲート絶縁膜及び電極界面の物性の精緻な解析と革新的な界面制御技術の開発を行います。

http://www.adam.t.u-tokyo.ac.jp/top.html

次世代集積化デバイスには電流のみならずスピン流も活用することが期待されています。本研究課題では、スピン流の効果も加味した一般化方程式による数値シミュレーション技術を構築し、電流とスピン流の熱的性質及び相互変換プロセスを明らかにし、新しいスピン流応用デバイスに適した新材料・新機能の開発に向けた探索・提案を行います。

http://asrc.jaea.go.jp/soshiki/gr/mori-gr/index.html

次世代微細加工技術であるナノインプリント技術を集積回路に応用するためには、高スループット、モールド離型、線幅制御などの解決すべき課題があります。これらの課題を解決するために、ナノインプリントにおけるプロセスの科学的解明、新プロセス・新材料探索を行い、実用性の高いナノインプリントリソグラフィに向けて材料・プロセス技術の開発を行います。