研究代表者・研究課題

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平成19年度採択

機能性酸化物を用いた界面相転移スイッチングデバイスの開発

秋永　広幸：(独)産業技術総合研究所　ナノデバイスセンター　センター長

金属／絶縁性酸化膜の界面電子状態および強相関相転移の物性制御研究を通して、それを利用した不揮発性スイッチングデバイス技術の開発を行います。

http://www.superior-nano.jp/crest_foe/

グラフェン・オン・シリコン材料・デバイス技術の開発

尾辻　泰一：東北大学電気通信研究所教授

グラフェン・オン・シリコン（GOS）材料・プロセス技術の開発を通して、相補的スイッチングデバイス（CGOS）及びプラズモン共鳴テラヘルツデバイス（PRGOS）技術の開発を行います。これにより、シリコンテクノロジーをベースとしながら、キャリア輸送限界を超えた新しい超高速大規模集積デバイスの実現が期待されます。

http://www.otsuji.riec.tohoku.ac.jp

真空紫外レーザー光発生用非線形光学結晶の開発

佐々木　孝友：大阪大学　光科学センター　特任教授

次世代の極微小欠陥検査用光源のために、波長170nm台の真空紫外光発生用光学結晶の開発を行います。また、紫外レーザー損傷メカニズムの解明を通して光源の短波長・長寿命化技術の開発を行います。

http://www.ppc.osaka-u.ac.jp/index.html

ハーフメタル強磁性体を用いたスピン機能MOSFETの開発

菅原　聡：東京工業大学　像情報工学研究所　准教授

キャリアのスピンに基づく機能をMOSFETに導入し，スピン自由度を用いた新しいシリコン集積回路を創出します．ハーフメタル強磁性体(HMF)によるメタル・ソース/ドレイン構造を用いた高機能MOSFET(スピンMOSFET)，およびハーフメタル強磁性体電極を用いた強磁性トンネル接合とMOSFETとの機能融合デバイス（擬似スピンMOSFET）を開発して，これらの機能デバイスによる新概念のアーキテクチャに基づく新機能集積回路を創出します．

http://www.isl.titech.ac.jp/~sugaharalab/index.html

極微細加工用レジスト研究とプロセスシミュレーターの開発

田川　精一：大阪大学　産業科学研究所　特任教授

イオン化放射線（ＥＵＶ、電子線等）はナノ領域にエネルギーを自由自在に付与することが可能であり、将来の極微細加工を支える重要な技術です。本研究では、このようなイオン化放射線の優れた特性を産業界が微細加工において十分に活用できるようにするための学術基盤を確立することを目標とします。イオン化放射線を用いる極微細加工用レジスト中に起きる反応機構を解明し、ナノ分子設計及びプロセス設計に活用し、プロセスシミュレーターの開発を行います。

http://www.sanken.osaka-u.ac.jp/jp/organization/srp/srp_03_01.html

ＬＳＩ用３次元カーボン・アクティブ配線の開発【終了】

二瓶　瑞久：富士通株式会社　室長付

グラフェンは、電気伝導特性や熱伝導特性に優れていることに加え、アクティブ素子としての機能も期待される次世代エレクトロニクス材料の候補です。本研究では、従来のLSI横配線の課題である配線抵抗の増大、大電流密度による信頼性劣化を抑えるためにグラフェンを用いた高性能な配線技術の開発を行いました。特に、オリジナルな光電子制御プラズマCVD法を用いて、触媒金属を用いずに絶縁膜上に多層グラフェンを形成することに成功しました。このように、従来の銅配線に替わる高性能配線として、新しい付加価値を有する3次元カーボン・アクティブ配線の基盤技術を開発しました。
(研究期間は平成１９年１０月１日～平成２２年３月３１日)