1)研究リーダー名 |
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毛利 佳年雄 (名古屋大学 工学研究科 電気工学専攻 教授) |
2)試験概要と成果 |
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アモルファス負磁歪ワイヤの応力インピーダンス効果(SI効果と命名)とCMOS回路とを組み合わることで、超小型でゲージ率が4000に達する超高感度の応力(ひずみ)センサ(SIセンサー)が実現する。本課題は、この超高感度SIセンサーの技術を、次世代の自動車(安定走行、自動走行装置他)、携帯電話(文字入力装置)、医用(脳機図測定装置等)など多種多様なセンサーへ展開することを目的として試験を実施し、次の成果を得た。
アモルファス負磁歪ワイヤのセラミックス基盤への強固な固定方法を確立することで高信頼性SIヘッドの作成に成功した。
自動車用傾斜センサー、加速度センサ、ヨーレートセンサーの開発の基礎として、プラスチック細円柱に溝を形成してアモルファスワイヤを設置した応力センサを構成し、高感度、高速応答の傾斜センサー、加速度センサーの基本性能を得た。
特許出願件数:国内2件*
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3)総合評価 |
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SIセンサーのワイヤの固定手段、無線型CMOS回路の試作をおこない、固定手段に超音波ボンディングを用いて実用化に目処、CMOS回路では眠気度検出、関連覚醒装置などの権利化をおこなってきた。
出願計画件数はほぼ達成するものの、権利範囲の挟さなど必ずしも威力を発揮しているとは言い難い。
今後、車載センサーをはじめ、広い分野での微少加速度センサーなどに応用展開が期待されるが、競合技術との差別化のためには具体的な開発テーマを絞りこんでの課題解決が望まれる。 |
*)事後評価実施時点 |