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図２　量子ドット検出器

図２　量子ドット検出器
ガリウム砒素とガリウムアルミニウム砒素化合物半導体結晶上に作製された量子ドット検出器。表面から約１００ナノメートルの深さに２次元の電子層が形成されている。表面上に作製された金属ゲートに負の電圧を印加することにより、ゲート直下の電子を追い払い、微小領域に電子を閉じ込めている。