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【ＣＲＥＳＴタイプ】
○戦略目標「新原理・新機能・新構造デバイス実現のための材料開拓とナノプロセス開発」の下の研究領域
 「次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究」
研究総括：渡辺 久恒（株式会社半導体先端テクノロジーズ 代表取締役社長）
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研究領域募集説明会のお知らせ
経済産業省とJST にて、経済産業省ナノテクノロジープログラム「ナノエレクトロニクス半導体新材料・新構造技術開発−うち新材料・新構造ナノ電子デバイス」とCREST「次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究」(渡辺研究総括)領域の合同募集説明会を以下の日程で実施いたします。当日はCREST研究総括と経済産業省からそれぞれ研究領域、プログラムの目的、進め方を説明します。また、事務局から連携方策や各制度の概要等についても説明し、最後に質疑応答を予定しております。
（※他領域では、「実用化を目指した組込みシステム用ディペンダブル・オペレーティングシステム」領域を除き、説明会を予定しておりません。）
参加を希望される方は当日直接会場にご来場ください。
（終了しました）→当日の総括の方針説明資料（要点のみ抜粋）はこちら（PDFファイル245KB）をクリックください。
【日時】
4月23日（月） 15:00〜17:00
【場所】
経済産業省 （本館２階 西８号室） （詳しくは、下記URLを参照ください）
http://www.meti.go.jp/intro/data/index_org.html
【お問い合わせ先（募集全般）】
rp-info[at]jst.go.jp （[at] を @に置き換えてください。)
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研究総括の募集・選考・研究領域運営にあたっての方針
研究領域の概要、研究総括の募集・選考・研究領域運営にあたっての方針はこちらをご覧下さい
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