Japan Science and Technology Agency Fair JSTフェア2018-科学技術による未来の産業創造展-

入場無料 2018.8.30[THU]10:00~17:30 - 8.31[FRI]10:00~17:00 東京ビッグサイト西3ホール

白金表面上部分無電解金メッキによる3nmナノギャップ電極

東京工業大学 科学技術創成研究院 フロンティア材料研究所 教授 真島 豊

9 産業と技術革新の基盤をつくろう

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小間番号 展示 10

出展概要

白金電極表面にナノスケールで濡れた半球状無電解金メッキをおこない、10 nm以下のギャップ間隔を有するナノギャップ電極を作製する手法と、ナノデバイスに関する成果を展示します。無電解金メッキの核生成密度の制御により、白金電極表面に部分金メッキから完全に濡れた均質金メッキまでを制御できます。無電解金メッキの自己停止機能により、ナノギャップ電極のギャップ間隔をより精密に制御することが可能です。

JST支援プログラム名称・期間

CREST・平成20年度~平成25年度

共同研究者情報

  • 関東化学(株) 技術・開発本部 中央研究所・第四研究室 主任研究員・室長 高橋 秀樹

展示物

真島・東(康)研究室, Yutaka Majima Lab.

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