- パルス光伝導法による半導体Siの超高感度不純物分析手法の開発
グローバルウェーハズ・ジャパン(株)
小間番号 | 展示 112 |
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出展概要
半導体イメージセンサ事業の産業競争力を増進する最重点課題として、「再生画面上に現れる白点の消滅」が挙げられます。イレブンナインといわれる高純度結晶ウェーハの表面不純物分布(10の11乗1/cm3)を、10の8乗1/cm3の桁台で計測し、ウェーハ面内のその分布を取得する必要があります。本研究では、 PPCM(パルス光伝導法)により半導体シリコン表面と酸化膜界面の振る舞いを計測し、高性能シリコン基板の開発とプロセスの高度化に取り組んでいます。
JST支援プログラム名称・期間
A-STEP(研究成果最適展開支援プログラム)
シーズ育成タイプ
開発期間:平成28年度~平成30年度
課題名:パルス光伝導法による半導体シリコンの超高感度不純物分析手法の開発
共同研究者情報
- 熊本大学 パルスパワー科学研究所 極限物性科学部門 半導体極限機能科学分野 教授 久保田 弘