出展概要

素子部分が純粋金属のナノギャップ構造で構成された、不揮発性メモリーを実現した。これによって、これまでの200℃程度であった不揮発性メモリーの動作可能温度を600℃にまで向上させることができた。このメモリー素子は、高温環境下でのメモリーやセンサーの応用、例えばフライトレコーダーや惑星探査機への応用が期待される。展示会では、実際に金星の表面温度である500℃環境下でのメモリー動作について、真空プローバ―を持ち込み実演する。

JST支援プログラム名称・期間

CREST「素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成」「デジタルデータの長期保管を実現する高信頼メモリシステム」（平成27年度～平成32年度）

共同研究者情報

• 千葉工業大学　工学部　機械電子創成工学科　准教授　菅 洋志