Japan Science and Technology Agency Fair JSTフェア2018-科学技術による未来の産業創造展-

入場無料 2018.8.30[THU]10:00~17:30 - 8.31[FRI]10:00~17:00 東京ビッグサイト西3ホール

IoT/AI社会を支える省エネCMOS技術:縦型BC-MOSFET

東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター センター長(教授) 遠藤 哲郎

9 産業と技術革新の基盤をつくろう

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小間番号 展示 106

出展概要

IoTやAIを活用するイノベーション創出に世界中の期待が集まっています。来たるべきIoT/AI時代を支えるキーデバイスと、それに基づく革新的集積エレクトロニクスシステムの創出が求められています。本プロジェクトでは、飛躍的な高集積化と省エネ性を同時に実現する縦型BC-MOSFETを基盤技術として、ワーキングメモリ(SRAM、DRAM、STT-MRAM)を中心に、ロジックLSI、アナログLSI 、さらにはAI・脳型LSIや電源回路など様々な応用展開に繋がる共通基盤技術の開発をしています。

JST支援プログラム名称・期間

戦略的創造研究推進事業ACCEL
研究代表者 遠藤 哲郎(東北大学 教授)
プログラムマネージャー 政岡 徹(科学技術振興機構)
「縦型BC-MOSFETによる三次元集積工学と応用展開」
平成25年度採択

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