- 電気・熱特性を同時考慮可能なSiCパワーMOSFETのデバイスモデル
京都大学 大学院情報学研究科 通信情報システム専攻
小間番号 | 展示 J18-17 |
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出展概要
シリコンカーバイド(SiC)を用いた小型高効率な電力変換回路の設計では、回路シミュレーションによる事前の特性解析が重要です。京都大学では、回路解析を高精度に、また自己発熱等の温度変化も考慮して行うことのできるSiCパワーMOSFETのデバイスモデルを開発しており、回路シミュレータにより、回路の動作波形とその間のデバイス内部温度の変化を同時に求める様子を展示します。
JST支援プログラム名称・期間
スーパークラスタープログラム(京都地域スーパークラスター)・平成25年度~平成29年度
共同研究者情報
- 奈良先端科学技術大学院大学 情報科学研究科 ディペンダブルシステム学研究室