- GaN系半導体のパワーデバイス応用に関する研究開発
福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻
小間番号 | 展示 J18-4 |
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出展概要
本プログラムの目的は、自立GaN基板を用いて、横型トランジスタである高電子移動度トランジスタ(HEMT)と、縦型トランジスタであるトレンチ構造MOSFETを試作し、性能限界と可能性について将来への有用な知見を得ることです。横型HEMTでは、半絶縁性GaN基板の高抵抗性を高めることにより、理想的な高耐圧特性の実現を図ります。また、縦型MOSFETでは、量産にも適した選択イオン注入プロセスを導入し、小型・大電流化の可能性を追求しています。
JST支援プログラム名称・期間
研究成果展開事業スーパークラスタープログラム ・平成25年度~平成29年度