- 超低損失酸化ガリウムショットキーダイオード
ノベルクリスタルテクノロジー
小間番号 | 展示 J17-4 |
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出展概要
微細トレンチMOS構造を導入した超低損失酸化ガリウムショットキーダイオードの開発に成功。市販されているSiやSiCを用いたダイオードよりも、順方向損失を40%低減できることが実証できた。
JST支援プログラム名称・期間
ナノテクノロジープラットフォーム
共同研究者情報
- 東京工業大学、早稲田大学、物質・材料研究機構
ノベルクリスタルテクノロジー
小間番号 | 展示 J17-4 |
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微細トレンチMOS構造を導入した超低損失酸化ガリウムショットキーダイオードの開発に成功。市販されているSiやSiCを用いたダイオードよりも、順方向損失を40%低減できることが実証できた。
ナノテクノロジープラットフォーム