- 高出力な深紫外LEDの開発
情報通信研究機構 未来ICT研究所 深紫外光ICTデバイス先端開発センター センター長 井上 振一郎
小間番号 | 展示 J12-3 |
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出展概要
深紫外LEDは、有害な薬剤を用いない光のみによるウィルスの殺菌や水銀ランプの代替などが期待され、医療から工業、環境、ICT分野まで幅広い分野の産業、社会インフラに対して画期的な技術革新をもたらす可能性があります。本展示会では、ナノ光構造技術を駆使することで、光出力150mWを超える世界最高出力の深紫外LEDの開発に成功した成果などについて紹介します。
JST支援プログラム名称・期間
A-STEP(研究成果最適展開支援プログラム)
シーズ育成タイプ
開発期間:平成27年度~平成30年度
課題名:高出力化を実現する深紫外LED光源技術の開発
共同研究者情報
- シーシーエス