- 省エネデバイスを実現する大口径GaNウエハ
大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻
小間番号 | 展示 J6-2 |
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出展概要
高効率パワーデバイスやブルーライト問題を解消できる白色LEDの実現には高品質・大口径GaNウエハが必須です。しかしながら、サファイア基板上での気相成長では格子定数、熱膨張係数の違いにより、その実現は不可能でした。大阪大学では、Naフラックス法とポイントシード法を組み合わせることにより、GaN結晶の高品質・大口径化を同時に実現できる新しい結晶成長技術を開発しました。
JST支援プログラム名称・期間
戦略的創造研究推進事業 先端的低炭素化技術開発(ALCA)
平成24年度~平成32年度