Japan Science and Technology Agency Fair JSTフェア2017-科学技術による未来の産業創造展-

JST 国立研究開発法人 科学技術振興機構

省エネデバイスを実現する大口径GaNウエハ

大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻

7 エネルギーをみんなにそしてクリーンに

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小間番号 展示 J6-2

出展概要

高効率パワーデバイスやブルーライト問題を解消できる白色LEDの実現には高品質・大口径GaNウエハが必須です。しかしながら、サファイア基板上での気相成長では格子定数、熱膨張係数の違いにより、その実現は不可能でした。大阪大学では、Naフラックス法とポイントシード法を組み合わせることにより、GaN結晶の高品質・大口径化を同時に実現できる新しい結晶成長技術を開発しました。

JST支援プログラム名称・期間

戦略的創造研究推進事業 先端的低炭素化技術開発(ALCA)
平成24年度~平成32年度

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