Japan Science and Technology Agency Fair JSTフェア2017-科学技術による未来の産業創造展-

JST 国立研究開発法人 科学技術振興機構

IoT/AI社会を支える省エネCMOS技術:縦型BC-MOSFET

東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター センター長 遠藤 哲郎

18 SUSTAINABLE DEVELOPMENT GOALS 2030年に向けて世界が合意した「持続可能な開発目標」です

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小間番号 展示 J4-6

出展概要

IoTやAIを活用するイノベーション創出に世界中の期待が集まっています。来たるべきIoT/AI時代を支えるキーデバイスと、それに基づく革新的集積エレクトロニクスシステムの創出が求められています。本プロジェクトでは、飛躍的な高集積化と省エネ性を同時に実現する縦型BC-MOSFETを基盤技術として、ワーキングメ モリ(DRAM やSTT-MRAM)を中心にロジックLSI、アナログLSI 、さらにはAI・脳型LSIなど様々な応用展開に繋がる共通基盤技術の開発をしています。

JST支援プログラム名称・期間

戦略的創造研究推進事業ACCEL
「縦型BC-MOSFETによる三次元集積工学と応用展開」
平成25年度採択

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