- SiCパワーモジュール用セラミック基板
京セラ(株)
出展分野 | グリーンイノベーション |
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小間番号 | 展示 E1-10 |
出展概要
SiCパワーデバイスを用いた電力変換回路の高電力密度化に向けた高周波スイッチングに対して,多層基板を用いた低寄生インダクタンス化を実現し,大電流のスイッチング時のサージ電圧を抑え高速スイッチング動作を可能としました。またセラミック基板を採用することで高温動作と低熱抵抗化を図り,高電力密度動作を可能とする実装技術を開発しました。低寄生インダクタンス化を実現したセラミック多層基板を展示します。
JST支援プログラム名称・期間
研究成果展開事業スーパークラスタープログラム
H25~H29
共同研究者情報
- 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻 教授 舟木 剛