出展概要

SiCパワーデバイスの本格的実用化への主な課題として、エピ成長層の欠陥低減と厚膜成長と、MOS界面のチャネル移動度向上と界面安定化がありました。
拡張欠陥からの近赤外線発光を活用することで、ウェハ欠陥の非破壊・高速検出と欠陥低減に成功しました。
さらに、正確な評価が可能な独自の界面評価法を確立、チャネル移動度制限因子を解明し改善指針を得て、適切な界面窒化処理により従来の5倍の高い移動度を達成しました。
独自構造のトレンチMOSFETについて展示します。

JST支援プログラム名称・期間

研究成果展開事業スーパークラスタープログラム
H25～H29

共同研究者情報

• 京都大学　大学院工学研究科　電子工学専攻　教授　木本恒暢

ブース位置詳細