- 溶液成長法で作製した世界最高品質のSiC単結晶
名古屋大学 工学研究科 宇治原研 教授 宇治原 徹
出展分野 | グリーンイノベーション |
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小間番号 | 展示 E1-5 |
出展概要
SiCパワーデバイスの真の実力を発揮させるにためには、単結晶基板の高品質化は絶対条件である。当研究グループでは、溶液成長法を用いた超高品質SiC単結晶の作製に成功した。溶液成長法により作製した結晶中では、デバイス特性に悪影響を及ぼす貫通らせん転位が、基底面上の異なる欠陥に変換していることが明らかとなった。 この欠陥の変換によって、究極的には無転位結晶の実現も現実味を帯びてきた。SiC溶液成長法は、超高品質結晶育成法の急先鋒である。
JST支援プログラム名称・期間
研究成果展開事業スーパークラスタープログラム
H25~H29
共同研究者情報
- 信州大学 工学研究科 手嶋研 准教授 太子 敏則