- ラジカル支援MOCVD法によるAlInN/GaN系次世代半導体の開発
名古屋大学 未来社会創造機構 エネルギー・環境研究開発部門 (兼任) 教授 堀 勝
出展分野 | グリーンイノベーション |
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小間番号 | 展示 E1-4 |
出展概要
GaN系半導体デバイスは、Siに代わる次世代の半導体として注目され、各研究機関で活発な研究が進んでいる。GaN系半導体は一般的にはMOCVD法(有機金属気相成長)という薄膜成長法で作製されるが、高温でまた原料ガスとして有害なアンモニアを多量に使用し、環境とコスト上の課題があった。名古屋大学では、プラズマ技術を使用し、活性な窒素ラジカルを発生させ、低温かつアンモニアレスでのMOCVD法の開発に成功しており、その装置の概要とAlInN/GaN]系半導体の特性について概説する。
JST支援プログラム名称・期間
研究成果展開事業スーパークラスタープログラム
H25~H29