Japan Science and Technology Agency Fair JSTフェア2016-科学技術による未来の産業創造展-

JST 国立研究開発法人 科学技術振興機構

ラジカル支援MOCVD法によるAlInN/GaN系次世代半導体の開発

名古屋大学 未来社会創造機構 エネルギー・環境研究開発部門 (兼任) 教授 堀 勝

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出展分野 グリーンイノベーション
小間番号 展示 E1-4

出展概要

GaN系半導体デバイスは、Siに代わる次世代の半導体として注目され、各研究機関で活発な研究が進んでいる。GaN系半導体は一般的にはMOCVD法(有機金属気相成長)という薄膜成長法で作製されるが、高温でまた原料ガスとして有害なアンモニアを多量に使用し、環境とコスト上の課題があった。名古屋大学では、プラズマ技術を使用し、活性な窒素ラジカルを発生させ、低温かつアンモニアレスでのMOCVD法の開発に成功しており、その装置の概要とAlInN/GaN]系半導体の特性について概説する。

JST支援プログラム名称・期間

研究成果展開事業スーパークラスタープログラム
H25~H29

ブース位置詳細


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