出展概要

気相成長方法において、液相成長と同様に低欠陥のGaN基板を作製する技術を開発した。現在のところは、パワーデバイスのリーク源となる転位の集中がなく、転位密度10⁴ cm^-2まで低減できることを確認している。展示当日は、基板作製工程別のサンプルを展示して、転位密度が低減している様子を紹介する。また、将来の商品イメージとして、参画企業の古河機械金属（株）の4インチGaN基板等の展示も行う。

JST支援プログラム名称・期間

研究成果展開事業スーパークラスタープログラム
H25～H29

ブース位置詳細