- GaN系半導体のパワーデバイス応用に関する研究開発
福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻 教授 葛原正明
出展分野 | グリーンイノベーション |
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小間番号 | 展示 E1-3 |
出展概要
本プログラムの目的は、自立GaN基板を用いて、横型トランジスタである高電子移動度トランジスタ(HEMT)と、縦型トランジスタであるトレンチ構造MOSFETを試作し、性能限界と可能性について将来への有用な知見を得ることである。横型HEMTでは、半絶縁性GaN基板の高抵抗性を高めることにより、理想的な高耐圧特性の実現を図る。また、縦型MOSFETでは、量産にも適した選択イオン注入プロセスを導入し、小型・大電流化の可能性を追求している。
JST支援プログラム名称・期間
研究成果展開事業スーパークラスタープログラム
H25~H29