Japan Science and Technology Agency Fair JSTフェア2016-科学技術による未来の産業創造展-

JST 国立研究開発法人 科学技術振興機構

GaN基板上GaN系パワーデバイス開発

名古屋大学 未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター 教授 天野浩

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出展分野 グリーンイノベーション
小間番号 展示 E1-3

出展概要

GaNを用いたパワーデバイスに必要不可欠な高速・厚膜成長エピタキシャルおよび試作したGaNパワーデバイスに関して成果展示を行う。具体的には名古屋大学においてGaN基板上に10μm程度成長させたエピ膜にプロセスを行い、縦型ショットキーバリアダイオードを作製したウエハを展示する。2インチGaN基板、エピ膜成長後の基板、プロセスを行った後の2インチ基板、ダイシング後チップ化したデバイスの4点をショーケースに入れて展示する。

JST支援プログラム名称・期間

研究成果展開事業スーパークラスタープログラム
H25~H29

ブース位置詳細


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