「金属磁性材料用反応性イオンエッチング技術」の開発に成功

科学技術振興事業団報　第165号

平成１３年６月２８日
埼玉県川口市本町４－１－８
科学技術振興事業団
電話(048)226-5606(総務部広報室)

「金属磁性材料用反応性イオンエッチング技術」の開発に成功

　科学技術振興事業団（理事長川﨑　雅弘）は、独立行政法人　物質・材料研究機構　ナノマテリアル研究所　中谷功氏の研究成果である「金属磁性材料用反応性イオンエッチング技術」を当事業団の委託開発制度の平成９年度課題として、平成１０年３月から平成１３年３月にかけてアネルバ株式会社（代表取締役社長　今村有孝、本社　東京都府中市四谷五丁目８番１号、資本金　約18億円）に委託して開発を進めていたが（開発費　約１億円）、このほど本開発を成功と認定した。
　近年、コンピュータ製品等の高性能化と小型化により、金属磁性材料の超微細加工技術の開発が望まれていた。従来まで、この材料の微細加工にはイオンミリング法やリフトオフ法を採用していたが、サブミクロン単位の超微細加工は技術的または生産性からも困難になってきた。そこで、半導体加工技術で採用されていた反応性イオンエッチング法を金属磁性材料の超微細加工に適用することを考案した。しかし、これまで金属磁性材料の反応性イオンエッチングは実施した例はなく、技術開発が望まれていた。
　本新技術では金属磁性材料の新しい形の反応性イオンエッチング技術の開発に成功した。高密度プラズマ源を用いることにより最大130nm/minのエッチング速度が得られ、プロセス条件を最適化しプラズマ密度分布を均一にすることでエッチングの均一性が得られた。また、金属磁性材料のマスク材料をチタン(Ti)やタンタル(Ta)を用いることにより選択性の高いエッチングが実現した。この結果、金属磁性材料の超微細加工が実現し、次世代磁気ヘッドの超微細加工、次世代超高密度磁気記録媒体の微細加工、不揮発性磁気大容量高速メモリ(MRAM)の超微細加工への応用も期待できる。

・「金属磁性材料用反応性イオンエッチング技術」の開発に成功(背景・内容・効果)
・開発を終了した課題の評価

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この発表についての問い合わせは以下の通りです。

科学技術振興事業団	開発部　管理課田口正路、斉藤淳一　【電話 03-5214-8435】
アネルバ株式会社	第１お客様事業推進本部マーケッティンググループ鈴木　勝　【電話 042-334-0843】

This page updated on June 28, 2001

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