総括責任者
| １．氏名(現職) |
なかむら しゅうじ
中村 修二（カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部 教授）４６歳
| ２．略歴 |
| 昭和２９年 ５月 | 生まれ |
| 昭和５２年 ３月 | 徳島大学工学部電子工学専攻 卒業 |
| 昭和５４年 ３月 | 徳島大学工学部大学院 修士課程修了 |
| 昭和５４年 ４月 | 日亜化学工業株式会社入社 |
| 昭和６３年 ４月 | フロリダ大学 客員研究員 |
| 平成 ６年 ９月 | 徳島大学より工学博士を授与 |
| 平成 ８年 ４月 | 日亜化学工業株式会社 主幹研究員 |
| 平成１２年 ２月 | カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部 教授 |
| ３．研究分野 |
電子材料、結晶成長、半導体デバイス
| ４．学会活動等 |
| 1994 | Materials Research Society (MRS)会議 コオーガナイザー | |
| 1995 | Materials Research Society (MRS)会議 コオーガナイザー | |
| 1997 | Materials Research Society (MRS)会議 コオーガナイザー | |
| 現在 | Editorial Board member of Applied Physics Letters (APL), Journal of Applied Physics(JAP) |
| ５．業績等 |
窒化物系材料を使用した発光デバイスの研究開発に先駆的に取り組み、１９９３年に青色、１９９５年に緑色のＰＮ接合型高輝度発光ダイオードの製品化に世界で初めて成功した。また、１９９５年に窒化物系紫色半導体レーザのパルス発振に世界で初めて成功した。これらの成果として、窒化物系材料成長用新しいMOCVD装置の実現（Appl. Phys. Lett.,1991）、P型正孔補償機構を明らかにし、熱処理によるP型GaNの実現（Jpn.J. Appl. Phys.,1992）、高品質InGaN結晶膜成長の実現（Jpn. J. Appl. Phys.,1992）、ダブルへテロ接合型高輝度青色発光ダイオードの実現（Appl. Phys. Lett.,1994）、量子井戸構造型高輝度、青、緑、黄色発光ダイオードの実現（Jpn. J. Appl. Phys.,1995）、紫色半導体レーザの実現（Jpn. J. Appl. Phys.,1996）、寿命１万時間を持つ紫色半導体レーザの実現（Jpn. J. Appl. Phys.,1998）などをあげることができる。
| 平成 ６年 | 応用物理学会論文賞 |
| 平成 ８年 | 仁科記念賞「短波長半導体レーザの研究」 |
| 平成 ９年 | 大河内記念賞「V族窒化物半導体を用いた青〜緑色発光ダイオードと半導体レーザの開発」 |
| 平成１０年 | IEEE Jack A. Morton Award「For contribution in the field of group-V nitride materials and devices」 |
| 平成１２年 | 本田賞「高光度青、緑色発光ダイオードと紫色半導体レーザの開発」 |
| 平成１３年 | 朝日賞「青色発光素子の研究と開発」 |
| 他 |
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