JSTニュース

No.23　1998-9月号

1998-9-1.jpg
　電子移動度と電子濃度が最大となる電子走行層(Ino.8Gao.2As)、電子供給層(Ino.52Alo.48As)を形成し、その構造を結晶転位のない構造とし、さらに電子の散乱による影響を低減させる電子分布制御層を両層間に挿入したトランジスタにより、ミリ波帯域で動作可能な半導体素子を実現。この素子は、ミリ波センシング用レーダー、移動体識別システム等に利用が期待。(開発成功)
1998-9-2.jpg
開発したミリ波センシング用低雑音増幅回路
1998-9-3.jpg
トランジスタ部の拡大写真
第35回 「情報科学技術研究集会」INFORUM '98 開催

研究開発支援総合ディレクトリ一般公開

JOIS-IV サービスの機能改善

技術移転・委託開発成功　3件

　主な行事予定

データベース化支援事業「生理活性脂質データベース」

新研究領域”内分泌かく乱物質”研究提案募集

　SIST 第80回 普及説明会開催

さきがけ研究21『人・その研究』(23)篠原寛明
ご希望の方は当事業団総務部広報担当までお申し込みください。
TEL: 048-226-5606 FAX:048-226-5646 E-mail:www-pr@jst.go.jp
logo.gif

This page updated on October 22, 1998

Copyright © 1998 Japan Science and Technology Corporation.

www-pr@jst.go.jp