「プラズマを用いた化学的気化加工法（半導体ウェハー用）」の開発に成功

　新技術事業団（理事長　松平 寛通）は、大阪大学教授　森勇藏氏の研究成果である「プラズマを用いた化学的気化加工法（半導体ウェハー用）」を当事業団の委託開発制度の平成2年度選定課題として平成3年3月から平成8年3月にかけて株式会社新潟鐵工所（社長　村松　綏啓、本社　東京都大田区蒲田本町1-10-1、電話03-5710-7700、資本金約 168億円）に委託して開発を進めていた（開発費約6億円）が、このほど本開発を成功と認定した。
　現在、LSIなど半導体デバイスを製造する上で基本となる半導体ミラーウェハーの製造に適用されている加工技術は、砥石や砥粒を用いる機械的な方法であるため、脆性破壊や塑性変形を伴うプロセスとなっており、加工表面にマイクロクラックや転位などを含む領域（この領域を加工変質層という）の発生が避けられず、これを除去するため、薬品を用いた湿式の化学研磨は避けられないものとなっていた。
　本新技術は、反応ガスを高周波プラズマ中で中性ラジカル（遊離原子）に分解し、被加工物の表面原子との化学反応により揮発性の物質に変換して気化、除去することにより加工するもので、加工変質層の発生がないことから、半導体ウェハー、さらには、機械加工が困難な材料への適用も期待される。

・「プラズマを用いた化学的気化加工法（半導体ウェハー用）」（背景・内容・効果）