（a）は、半導体導波路光アイソレータを通った半導体レーザ光の波長と消光比を示したグラフです。外部磁石の反転(±1kG：グラフの赤と緑の線)によって、波長1543.8ナノメートルの消光比が4dBの強度変化を示しています（グラフの矢印部分）。
　（b）は、半導体導波路光アイソレータを通らない半導体レーザ光の波長と消光比を示したグラフです。外部磁石の反転(±1kG：グラフの赤と緑の線)を行っても、強度変化を示していません。
　これらの測定結果は、半導体レーザと半導体導波路光アイソレータの一体集積化素子で、実際に光アイソレーション（絶縁）が得られていることを示しています。