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図4


図4
ゲート電圧VgBの関数として観測されるドラッグの大きさRD = -VB/IA。細線Aの電子密度は低く設定してあり、7 Tの垂直磁場が印加されています。-0.9 V< VgB < -0.5 Vで負のドラッグが観測され、温度の上昇とともに電子は移動しやすくなり、やがて負から正のドラッグを示すようになります。