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図2


図2
結合量子細線デバイスのSEM写真と測定系。白い部分が金属ゲートであり、ゲート電圧によって二つの細線(ゲートにはさまれた領域)の電子密度を調整できます。ドラッグの測定では、細線Aに電流IAを注入し、細線Bに誘起される電圧VBを測定します。ドラッグ抵抗RD = -VB/IAによって、ドラッグの方向(符号;正のドラッグでRD>0)と強さ(大きさ)が表されます。