JSTトッププレス一覧科学技術振興機構報 第1236号 > 別紙1
別紙1

戦略的国際共同研究プログラム(SICORP)
「日本-EU共同研究」「パワーエレクトロニクス」分野
平成28年度新規課題 一覧

課題名 日本側
研究代表者
所属・役職 課題概要
EU側
研究代表者
革新的高信頼性窒化物半導体パワーデバイスの開発と応用 三宅 秀人 三重大学
大学院地域イノベーション学研究科 教授
本研究プロジェクトの目的は、窒化物半導体材料の持つポテンシャルを十分に引き出して、工業用および車載用に応用可能な頑健性(ロバスト性)と高信頼性を示す高・中耐圧パワーデバイスを開発し、エネルギーの高効率利用に貢献することである。本研究プロジェクトでは、対象材料をシリコン基板上窒化ガリウム(以下GaN/Siと表記)とサファイア基板上窒化アルミニウム(以下AlN/sapphireと表記)として次世代パワーデバイスの開発を進める。日本側はGaN/Si系パワーデバイスの開発には関与せず、AlN/sapphire系パワーデバイスの開発にのみ寄与する。 AlN/sapphire系材料は高い絶縁性基板として非常に重要であるが、その開発はまだ始まったばかりである。本研究プロジェクトでは、(1)GaN/Si系パワーデバイスの頑健性・信頼性を向上させること、(2)GaN/Si系で得られた知見をフィードバックしAlN/sapphire系パワーデバイスの開発を加速させることを目標としている。日本側研究チームは、AlN/sapphire系開発では最も重要な結晶成長と高品質化技術を担当する。
ガウデンチオ・メネゲッソ パドバ大学
情報工学部  教授 (イタリア)