プロジェクト実施期間

2018年度～2022年度(オープンイノベーション機構連携型)

参画機関(大学等、企業等)

京都大学、大阪大学、奈良先端科学技術大学院大学、信州大学、京都市産業技術研究所、上村工業(株)、神戸電機産業(株)、山洋電気(株)、スミダ電機(株)、住友電気工業(株)、日本ケミコン(株)、日本電産(株)、(株)日立製作所、(株)フジミインコーポレーテッド、ローム(株)

研究のポイント

社会実装を目指す新たな価値として競争領域へと発展させるための目標とそれに対応するキーテクノロジーを設定し、研究領域内での各研究課題とそれらを共有する事により研究推進を加速させております。

企業への一言

パワー半導体やその周辺技術の研究開発をお考えの企業の皆さまには、超スマート社会実現に向けて、本コンソーシアムへのご参画をお待ちしております。

SiCを酸化すると界面に炭素欠陥が生成することを見出し、この欠陥生成を抑制するためにSiCの酸化を排除する独自の酸化膜形成方法を提案ししました。
この結果、従来のベストプロセスに比べて2倍のMOSFET特性（チャネル移動度）を達成しました（図のH2-CVD-NO）。これは当該分野20年ぶりのブレークスルーと位置付けられています。