分子素子/超高効率光スイッチング分子について
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右図に示すように、フェナントロリン骨格を有するルテニウム錯体は、基底状態では閉殻構造となりトンネル抵抗が大きくなりますが、励起状態では金属からπ電子系へ電子移動が起こるため(MLCT)、π電子系が開殻構造となりエネルギーギャップが小さくなることが期待できます。
このルテニウム錯体の両端に高電導性の分子ワイヤー部分を結合して、ナノギャップ電極を可能な限り小数の分子で結合した分子デバイスを作成することを目指します。
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