研究総括紹介（ナノ製造技術の探索と展開）

ＴＯＰ＞研究総括紹介

研究総括　横山直樹　Naoki Yokoyama

1949年3月　大阪府生まれ
独立行政法人産業技術総合研究所
連携研究体　グリーン・ナノエレクトロニクスセンター　連携研究体長
（兼）㈱富士通研究所フェロー

1971年	大阪市立大学　理学部物理学科卒業
1973年	大阪大学大学院基礎工学研究科物性物理学専攻修士課程修了
1973年	(株)富士通研究所入社
1984年	大阪大学より工学博士　学位授与
1991年	(株)富士通研究所　電子デバイス研究部門機能デバイス研究部長
1999年	(株)富士通研究所　基盤技術研究所主席研究員
2000年	(株)富士通研究所　フェロー（兼）ナノテクノロジー研究センター長
2010年 4月	（兼）独立行政法人　産業技術総合研究所連携研究体　グリーン・ナノエレクトロニクスセンター　連携研究体長
2010年 7月	独立行政法人　産業技術総合研究所連携研究体　グリーン・ナノエレクトロニクスセンター　連携研究体長（兼）富士通研究所フェロー
	現在に至る。

化合物半導体デバイスならびに量子効果デバイス等の先端デバイス研究、ナノテクノロジー全般

IEEE EDS Japan Chapter元委員長、応用物理学会評議員等学会の各種委員
SSDM2007組織委員長

1987年	GaAs国際シンポジウムYoung Scientist Award受賞
1998年	IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award受賞
2000年	IEEE Fellow
2003年	電子情報通信学会フェロー
2007年	応用物理学会フェロー
	（2006年6月より、独立行政法人科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業個人型研究さきがけ「ナノ製造技術の探索と展開」の研究総括）

・ナノテクノロジー基礎シリーズ　ナノエレクトロニクス
著者東京大学　榊裕之／富士通研究所　横山直樹　共編 [オーム社]

・ 2000年　"Self-formed quantum dot structures and their potential device applications", Chapter 2 of 「Quantum Semiconductor Devices and Technologies」、Electronic Materials 6,Kluwer Academic Publishers, edited by T.P.Pearsall, pp.19-95, N. Yokoyama, H.Ishikawa, Y.Sakuma, Y.Nakata, and Y.Sugiyama