内藤　泰久

• Hiroshi Suga, Masayo Horikawa, Shunsuke Odaka, Hisao Miyazaki, Kazuhito Tsukagoshi, Tetsuo Shimizu, and Yasuhisa Naitoh
  "Influence of electrode size on resistance switching effect in nanogap junctions"
  Applied Physics Letters, 97, 073118 (2010)
• Y. Naitoh, M. Horikawa, and T. Shimizu:
  "The Effect of Gas Molecules on Resistance Switch Employing a Gold Nanogap Junction."
  Jpn. J. Appl. Phys. 49, 01AH08-1-4 (2010)
• Y. Naitoh, K. Yanagi, H. Suga, M. Horikawa, T. Tanaka, H. Kataura, and T. Shimizu:
  "Non-volatile Resistance Switching using Single-Wall Carbon Nanotube Encapsulating Fullerene　Molecules."
  Appl. Phys. Express, 2, 035008-1-3 (2009)
• Y. Naitoh, Y. Morita, M. Horikawa, H. Suga, and T. Shimizu:
  "Non-Volatile Resistance Switching Using Silicon Nanogap Junction."
  Appl. Phys. Express, 1, 103001-1-3 (2008)
• Y. Naitoh, M. Horikawa, and T. Shimizu:
  "Influence of Substrate Structure on Resistance Switch using a Simple Metal Nanogap Junction."
  Jpn. J. Appl. Phys., 47, 400-402 (2008)
• Y. Naitoh, M. Horikawa, and T. Shimizu:
  "New Nonvolatile Memory Effect Showing Reproducible Large Resistance Ratio Employing Nano-gap Gold Junction."
  Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 997, I04-08 (2007)

• 招待講演　8件

• 解説　3件　出版物3件

• 発明者：内藤泰久、菅洋志、堀川昌代、清水哲夫
  発明の名称：２端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス
  出願人：産業技術総合研究所
  出願日：2007/08/09
• 発明者：内藤泰久、森田行則、堀川昌代、清水哲夫
  発明の名称：シリコンによる２端子抵抗スイッチ素子
  出願人：産業技術総合研究所
  出願日：2007/06/15
• 発明者：内藤泰久、森田行則、堀川昌代、清水哲夫
  発明の名称：シリコンによる２端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス
  出願人：産業技術総合研究所
  出願日：2007/06/15
• 発明者：内藤泰久、森田行則、堀川昌代、清水哲夫
  発明の名称：シリコンによる２端子不揮発性メモリ
  出願人：産業技術総合研究所
  出願日：2007/06/12
• 発明者：内藤泰久、柳和宏、菅洋志、堀川昌代、片浦弘道、清水哲夫
  発明の名称：２端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス
  出願人：産業技術総合研究所
  出願日：2007/02/16
• 発明者：内藤泰久、柳和宏、菅洋志、堀川昌代、片浦弘道、清水哲夫
  発明の名称：２端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス
  出願人：産業技術総合研究所
  出願日：2007/02/15
• 発明者：内藤泰久、柳和宏、菅洋志、堀川昌代、片浦弘道、清水哲夫
  発明の名称：分子内包型カーボンナノチューブを用いた抵抗スイッチ素子
  出願人：産業技術総合研究所
  出願日：2007/01/22

• 週刊ナノテク賞(第5回ナノ学会最優秀講演賞)受賞　(平成19年5月23日)