吾郷　浩樹

• C. M. Orofeo, H. Ago, B. Hu, M. Tsuji
  Synthesis of large-area, homogeneous, single layer graphene by annealing amorphous carbon on Co and Ni
  Nano Res., in press (2011).
• B. Hu, H. Ago, N. Yoshihara, M. Tsuji
  Effects of water vapor on diameter distribution of SWNTs grown over Fe/MgO based catalysts
  J. Phys. Chem. C, 114, 3850-3856 (2010).
• H. Ago, R. Ohdo, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi
  Effective patterning of metal nanoparticles on sapphire surface for aligned growth of single-walled carbon nanotubes
  J. Nanosci. Nanotech., 10, 3867-3872 (2010).
• H. Ago, I. Tanaka, M. Tsuji, K. Ikeda
  Patterned growth of graphene over epitaxial catalyst
  Small, 6, 1226-1233 (2010).
• J. Onoda, S. Mizuno, H. Ago
  STEM observation of tungsten tips sharpened by field-assisted oxygen etching"
  Surf. Sci., 604, 1094-1099 (2010).
• H. Ago, T. Nishi, K. Imamoto, N. Ishigami, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi
  Orthogonal growth of horizontally-aligned single-walled carbon nanotube arrays
  J. Phys. Chem. C, 114, 12925-12930 (2010).
• Y. Ogawa, H. Ago, M. Tsuji
  Epitaxial growth of faceted Co nanoparticles on sapphire surfaces
  Chem. Lett., 39, 964-965 (2010).
• C. M. Orofeo, H. Ago, N. Yoshihara, M. Tsuji
  Methods to horizontally align single-walled carbon nanotubes on amorphous substrate
  J. Novel Carbon Resourse Sci., 2, 36-40 (2010).
• H. Ago, Y. Ito, N. Mizuta, K. Yoshida, B. Hu, C. M. Orofeo, M. Tsuji, K. Ikeda, S. Mizuno
  Epitaxial chemical vapor deposition growth of single-layer graphene over cobalt film crystallized on sapphire
  ACS Nano, 4, 7407-7414 (2010).
• H. Ago, K. Imamoto, T. Nishi, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi
  Direct growth of bent carbon nanotubes on surface engineered sapphire
  J. Phys. Chem. C, 113, 13121-13124 (2009).
• A. Nakamura, N. Hikosaka, S. Imamura, Y. Takahashi, H. Ago, H. Kishida
  Third-order nonlinear optical response in double-walled carbon nanotubes"
  J. Luminescence, 129, 1722-1725 (2009).
• H. Ago, C. M. Orofeo, N. Ishigami, N. Yoshihara, M. Tsuji
  Recent development in technology for horizontally-aligned growth of single-walled carbon nanotubes
  Sens. Mater., 21, 321-330 (2009).
• H. Ago, N. Ishigami, N. Yoshihara, K. Imamoto, K. Ikeda, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi
  Visualization of horizontally-aligned single-walled carbon nanotube growth with ¹³C/¹²C isotopes
  J. Phys. Chem. C (Letter), 112, 1735-1738 (2008).
• N. Yoshihara, H. Ago, M. Tsuji
  Growth mechanism of carbon nanotube over gold-supported catalysts Jpn. J. Appl. Phys., 47, 1944-1948 (2008).
• N. Ishigami, H. Ago, K. Imamoto, M. Tsuji, K. Iakoubovskii, N. Minami
  Crystal plane dependent growth of aligned single-walled carbon nanotubes on sapphire
  J. Am. Chem. Soc., 130, 9918-9924 (2008).
• H. Ago, N. Ishigami, K. Imamoto, T. Suzuki, K. Ikeda, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi
  Horizontally-aligned single-walled carbon nanotubes on sapphire
  J. Nanosci. Nanotech., 8, 6165-6169 (2008).
• H. Ago, I. Tanaka, M. Tsuji, K. Ikeda, S. Mizuno
  Hole-doping to aligned single-walled carbon nanotubes from sapphire induced by heat treatment
  J. Phys. Chem. C, 112, 18350-18354 (2008).
• N. Ishigami, H. Ago, T. Nishi, K. Ikeda, M. Tsuji, T. Ikuta, K. Takahashi
  Unidirectional growth of single-walled carbon nanotubes
  J. Am. Chem. Soc. (Communication), 130, 17264-17265 (2008).

• 吾郷浩樹，
  「単層グラフェンのエピタキシャルCVD成長」，
  2011年春季第58回 応用物理学関係連合講演会 シンポジウム「グラフェンエピタキシーの現状と将来展望」（神奈川），2011/3/25
• 吾郷浩樹，
  「エピタキシャル金属薄膜上での単層グラフェンの大気圧CVD成長」，
  九大応力研主催九大グラフェン研究会（福岡），2011/2/26
• 吾郷浩樹，
  「CVDによるグラフェンの成長制御」，
  ナノカーボン物質の基礎と応用：現状と展望に関する若手研究会（つくば），2010/12/27
• H. Ago, Y. Ito, B. Hu, M. Tsuji, N. Mizuta, K. Ikeda, S. Mizuno，
  "Epitaxial growth of single-layer graphene over metal films crystallized on sapphire"，
  Carbon Materials for Energy Devices and Environmental Protections (CSE2010)（Oita），2010/11/25
• 吾郷浩樹，
  「カーボンナノチューブとグラフェンの触媒成長−単結晶基板による高次構造制御−」，
  ニューダイヤモンドフォーラム（NDF) 平成22年度第2回研究会「カーボン材料の生成プロセスの最前線」（東京），2010/11/16
• 吾郷浩樹，
  「エレクトロニクス応用を目指したナノカーボンの創製−熱CVDによるカーボンナノチューブとグラフェンの成長と構造制御−」，
  日本機械学会熱工学コンファレンス2010　プレコンファレンス・セミナー（化学反応と熱利用技術）（新潟），2010/10/29
• 吾郷浩樹，
  「グラフェンとカーボンナノチューブの触媒成長　−ナノエレクトロニクス応用を目指して−」，
  電子情報技術産業協会(JEITA)　「ナノカーボンエレクトロニクス技術分科会」（福岡），2010/10/12
• 吾郷浩樹，
  「エレクトロニクス応用を目指したカーボンナノチューブとグラフェンの触媒成長」，
  黒鉛化合物研究会（京都），2010/10/1
• Hiroki Ago，
  "Controlled Growth of Carbon Nanotubes and Graphene"，
  The 1st China-Japan Young Scientist Forum (China)，2010/6/20
• Hiroki Ago，
  "Controlled Growth of Carbon Nanotubes and Graphene for Future Carbon Electronics"，
  5大学附置研究所アライアンス「物質・デバイス領域共同研究拠点事業」　拠点発足記念シンポジウム(大阪)，2010/3/24
• 吾郷浩樹，
  「エレクトロニクス応用を目指したカーボンナノチューブとグラフェンの成長制御」，
  東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会（プラズマナノバイオトロニクスの基礎研究）（仙台），2010/2/23
• Hiroki Ago，
  "Controlled synthesis and application of horizontally-aligned carbon nanotubes"，
  Carbon Materials for Energy Devices and Environmental Protections (CSE2009) (China)，2009/8/31
• Hiroki Ago，
  " Synthesis and application of horizontally aligned single-walled carbon nanotubes"，
  Global COE Intenational Workshop (Fukuoka)，2009/6/19
• Hiroki Ago，
  "Growth Mechanism, Characterization, and Structure Control of Aligned Carbon Nanotubes"，
  CNTNE2009 (International Symposium on Carbon Nanotube Nanoelectronics 2008) (Sendai) ，2009/6/11
• 吾郷浩樹，
  「単結晶基板上での単層カーボンナノチューブの水平配向成長」，
  カーボン系ナノ材料の形成と物性研究会（福岡），2009/1/26.
• Hiroki Ago，
  "Synthesis and Characterization of Horizontally-Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes"，
  IUMRS-ICA 2008 (The IUMRS International Conference in Asia 2008) (Nagoya) ，2008/12/11
• 吾郷浩樹，
  「水平配向カーボンナノチューブの新展開」，
  2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会シンポジウム「カーボンナノチューブ エレクトロニクス」（愛知），2008/9/2
• 吾郷浩樹，
  「成長および配向制御　−単結晶表面上での水平配向成長−」，
  日本物理学会第63回年次大会シンポジウム（カーボンナノチューブ研究・開発における「ブレークスルー」にいま何が必要か？（大阪），2008/3/24
• 吾郷浩樹，
  「サファイア上での単層ナノチューブの水平配向成長　−成長メカニズムとキャラクタリゼーション−」，
  JST領域横断シンポジウム（カーボンナノチューブ・エレクトロニクス）（神奈川），2008/1/28
• 吾郷浩樹，
  「カーボンナノチューブ・ネットワークのエレクトロニクス応用」，
  第1回カーボンナノチューブ応用研究会（名古屋），2007/10/17

• 吾郷浩樹
  「単層カーボンナノチューブの水平配向成長とデバイス応用」
  化学工業（化学工業社）, 60, 348- 353 (2009).
• 吉原直記，吾郷浩樹，辻正治
  「ナノチューブの成長メカニズム　−水の添加効果とその化学−」
  ナノ学会会報（ナノ学会誌），7, 39-44 (2008).
• 石神直樹，吾郷浩樹，今本健太，辻正治，K. ヤクボヴスキー，南信次
  「サファイア上で水平配向した単層カーボンナノチューブの結晶面に依存した成長」
  ナノ学会会報（ナノ学会誌），7, 45-51 (2008).
• 吾郷浩樹
  「カーボンナノチューブの水平配向成長　集積化への新しい可能性　シリコンLSIとの融合も期待」
  Semiconductor FPD World（プレスジャーナル社），12, 98-100 (2008).

• 発明者：吾郷浩樹、伊藤由人、田中伊豆美、水野清義、辻正治
  発明の名称：グラフェン薄膜の製造方法およびグラフェン薄膜 (PCT出願）
  出願人：ＪＳＴ
  出願日：2010/08/31
• 発明者：吾郷浩樹、田中伊豆美、辻正治
  発明の名称：グラフェン薄膜とその製造方法
  出願人：ＪＳＴ
  出願日：2009/8/31

• 吾郷浩樹，
  平成22年度九州大学 研究・産学連携活動表彰，2010/11/1
• 吾郷浩樹，
  ナノ学会第6回大会 産業タイムズ社賞，
  「表面原子配列によってプログラムされた単層カーボンナノチューブの配向成長/炭素同位体を用いた単層カーボンナノチューブの水平配向成長の可視化」，2008/5/9
• 吾郷浩樹，
  平成20年度文部科学大臣表彰若手科学者賞，
  「カーボンナノチューブの成長と機能化の研究」，2008/4/15