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革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
研究領域紹介

戦略目標

「新原理・新機能・新構造デバイス実現のための材料開拓とナノプロセス開発」

研究領域の概要

 この研究領域は、CMOSに代表される既存のシリコンデバイスを超える革新的な次世代デバイスを創成することを目標として、環境やエネルギー消費に配慮しつつ高速・大容量かつ高度な情報処理・情報蓄積・情報伝達を可能とする新しい材料の開拓およびプロセスの開発を図る挑戦的な研究を対象とするものです。
 具体的には、高移動度ワイドギャップ半導体材料、スピントロニクス材料、高温超伝導体を含む強相関系材料、量子ドット材料、ナノカーボン材料、有機半導体材料などが挙げられますが、これらに限らず、将来のデバイス化を見据えた新しい材料または構造及びプロセスの開拓に向けた独創的な研究が含まれます。

研究総括の募集・選考・研究領域運営にあたっての方針(平成21年度)

 本研究領域は平成19年度より、既存のシリコンデバイスを超える革新的デバイスを実現するための材料・プロセスの探索を目指して募集してきました。これまで2回の募集を通じて、スピントロニクス材料を中心に、ワイドギャップ材料、ナノカーボン、半導体ナノ構造、有機半導体、超伝導、強相関、サーモエレクトロニクス、新原理デバイスなど広い範囲にわたる分野から、チャレンジングな21課題を採択することができ、すでにめざましい成果をあげつつあります。今年度の募集に当たっては、上記分野に加えて、昨年度応募の少なかった有機・分子系デバイス材料についても意欲的な研究提案をお待ちしています。
 本領域では、選考にあたって、単なる材料・プロセスではなく、材料のどのような機能を活かして次世代デバイスの実現を目指すのかという出口イメージを明確にした提案を重視してきました。今年度においても、この基本方針のもとに、現在の状況では実現が困難な提案でも将来の産業化の可能性があれば積極的に評価しますので、挑戦的で独創的な提案をどしどしお寄せください。また、大学・公的研究機関だけでなく、産業界からの提案も歓迎します。ただし個人型研究であることには十分配慮してください。



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