東京大学 先端科学技術研究センター　講師

欠陥エンジニアリングによる新規強誘電機能の発現

絶縁層に挟まれた厚さ数ナノメートルの強誘電層では、欠陥が誘電性を劣化させることなく、特性向上の活性中心として働きます。この層状強誘電体に、電子・原子レベルでの秩序構造を考慮して陽イオン空孔、酸素空孔および積層欠陥を積極的に導入して利用する欠陥エンジニアリングによって分極特性を設計し、新規な強誘電機能の発現を目指します。