JST科学技術振興機構
Japanese English
 
   
 
トップページ
研究総括・アドバイザー紹介
研究代表者・研究課題・研究概要
研究チームの研究成果
サイトマップ
リンク集
研究代表者・研究課題・研究概要
平成16年度採択 平成17年度採択 平成18年度採択
河田チーム 小宮山チーム 末永チーム 宝野チーム 水谷チーム
レーザー補助広角3次元アトムプローブの開発とデバイス解析への応用
< 材料・デバイスのナノ領域の原子分布を3次元で見る。>

宝野 和博
(独)物質・材料研究機構
磁性材料センター フェロー
http://www.nims.go.jp/apfim/

 磁気・半導体デバイスのナノ領域の原子分布を3次元的に可視化するために、フェムト秒レーザーにより針状試料表面からイオン化する原子を広い角度で取り込むレーザー補助広角3次元アトムプローブを開発します。同時に、あらゆる試料からアトムプローブ試料を作製する技術を開拓し、これまで解析不可能であった難分析試料ならびに半導体、磁気デバイスの高領域3次元原子分布解析を行う技術を確立します。



 
 
(C)COPYRIGHT JST独立行政法人 科学技術振興機構 ALL RIGHTS RESERVED.